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“基于第三代半导体光源的低投射比投影仪关键技术”通过科技成果评价

2020-12-01 19:22 已围观76次 来源:湖南科技网 编辑:张馨予

  中国经济新闻网讯(记者 张丽敏)11月30日,中国高科技产业化研究会在西安严格按照科技部《科学技术评价办法》的有关规定,严格按照科技成果评价的标准及程序,本着科学、独立、客观、公正的原则,组织专家对由广东省院士成果转化基地发展有限公司研发的“基于第三代半导体光源的低投射比投影仪关键技术”项目进行了科技成果评价。

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  在听取项目完成单位的技术总结报告,并对评价资料进行审查后,评价委员会认为,本次研发将第三代半导体LED作为投影仪光源,不仅实现了第三代半导体的规模化应用,也实现了投影仪产品的重大技术突破。

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  “低投射比的第三代半导体投影仪科技成果转化可应用于教育、办公、影院、娱乐、广告等领域,并将快速形成产业链体系,带动周边经济结构转型,有效解决当地就业、带动地方上下游经济发展,对地方工业经济、行业发展具有重大意义。”据项目方广东省院士成果转化基地发展有限公司教授童玉珍介绍,在“第三代半导体光源的低投射比投影仪关键技术”研发方面,目前已自有授权软件著作权8项,发明专利8件、实用新型专利2件、外观专利1件。其还透露,公司已制定针对相应投影仪产品的企业标准和应用技术规程,并计划申请编制国家标准项目。
  
  经专家评价委员会评审,该项目技术已达到国际先进水平,一致同意“基于第三代半导体光源的低投射比投影仪关键技术”通过科技成果评价并表示,该项目制备了氮化镓基蓝绿光第三代半导体LED材料和器件,作为投影仪的光源,具有高电子密度、高迁移率、长寿命、高光效、高色域的特性;其自主研发的折反式超短焦变焦投影镜,通过镂空非球面反射镜中心,同时使用平面和球面反射镜折转光路,解决了同轴光束遮挡的关键问题,实现了0.19的低投射比;以及通过两次化学镀层法在AlN陶瓷散热基板表面均匀沉积了厚度为20μm的Cu层,并通过X射线衍射图谱确定AlN陶瓷基板与铜镀层间是以机械键合的方式结合,同时,使用新型的三元收缩散热通道,提高了系统的散热性能,减少了对空间的占用。